青岛海存微电子申请磁存储结构及其制造方法专利增大工艺窗口

2026-02-01 16:43:43　　点击量：

　　金融界2024年10月25日消息，国家知识产权局信息显示，青岛海存微电子有限公司申请一项名为“磁存储结构及其制造方法”的专利，公开号CN 118804668 A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本公开提供一种磁存储结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于解决现有底钉扎结构的磁存储器工艺可行性差和写入效率低的问题。该磁存储结构包括：衬底、磁隧道结、自旋轨道矩层、刻蚀停止层、介质结构和异形电极；介质结构包裹磁隧道结侧壁和自旋轨道矩层侧壁，且其上表面高于自旋轨道矩层的上表面；刻蚀停止层未完全覆盖自旋轨道矩层的两端，与介质结构的上表面共同形成异形通孔，进而形成异形电极。通过设置刻蚀停止层，可准确控制刻蚀终点，避免对自旋轨道矩层过刻，增大工艺窗口；异形通孔顶部尺寸大，工艺灵活，底部尺寸小，自对准自旋轨道矩层的边缘，可满足器件微缩化需求；异形电极设置于自旋轨道矩层两端的上表面，写入效率高。

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